제목: 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정
문제제기: .기존 RCA법의 요염물 다량 배출(H202, DI water 및 HCl)
기존 RCA법에서 고가 운영비(과산화수소 처리공정, 높은 온도유지)
.반도체가 점점 작아지면서 미세한 오염물 제거의 필요성
지표면 오존의 심각성(오존주의보)
문제 제기
- 반도체의 집적도 증가에 따라 미세 오염물 제거 문제
- 기존 RCA법의 오염물 다량 배출 (H2O2,HCL,DI water)
및 고가 운영비
- 지표면 오존의 심각성(오존주의보)
wafer 세정에서 RCA 세정법을 대체 할 친환경 & 고기능 세
정제 및 공정 개발 (고체산 + 오존수 2단계 공정)
반도체 세
Cost down 방법
세정공정 중에 먼지 등 이물질이 들어가면 불량을 야기시킬 수 있기 때문에, 이를 방지하기 위해서 세정공정에 진공기술을 도입하여 불량률을 줄이고 재료의 변질을 막는다.
마스크공정, 노광공정의 수를 줄인다. 마스크, 노광공정에 LCD제조비의 상당수가 투입되고 있으며, 이를 한단
Particles: environment, equipments, operation, chemicals, water
Metallic: equipments, human (Na), chemicals, process (RIE, ion implantation, metallization)
Organic: container, human, cosmetics,PR, Chemicals, ambient organic vapor
습식세정
단점
독성이 매우 강한 용액을 사용하여 위험
진공 장비들과 연계하여 연속적인 공정 수행 힘
공정은 오염물들의 근원이고 이는 소자의 성능과 수율에 직접적인 영향을 미치게 된다. 각 공정 후 Wafer 표면의 오염물은 기하급수적으로 늘어나게 되고 이 오염물에 의해 반도체 소자의 수율은 급격히 감소하게 된다. 반도체 세정공정은 Wafer 표면의 모든 오염물을 완벽히 제거하는 것이 가장 이상적
1.공정입자의 발생원인과 그로인한 영향
우선 원인으로 공정과정중 작업자의 호흡과 땀등으로 통한 입자 발생을 꼽을 수 있다. 이러한 원인으로 인하여 NH3,탄화수소 등의 입자가 발생하게 되는데 이로인해 공정입자가 발생하게 된다. 또한 clean room을 구성하는 콘크리트나 내부에 존재하는 기구들의 재
차. 압축기
압축기의 역할을 간단히 말하면 증발기에서 증발한 냉매증기가 응축되기 쉽도록 냉매증기의 압력을 높이는 것, 즉 증기를 압축하는 것이라고 할 수 있다. 이러한 압축기의 작용에 의하여 냉매는 응축과 증발과정을 반복하면서 냉동장치 내를 순환하며 열을 차가운 곳에서부터 따뜻한